Ⅰ. 서론
1. DRAM 개발 동향
2. Flash 메모리 개발 동향
3. 로직 반도체 개발 동향
Ⅱ. 차세대 반도체를 위한 공정 및 장비 개발 동향
1. 소자 스케일링 및 Extreme UV
2. 저저항 신규 물질
3. 극저온 수직 에칭
4. IGZO 산화물 증착 공정
Ⅲ. 결론
[원문보기]